太阳能电池板生产流程及封装流程详解

    工业制作硅电池所用的单晶硅资料，一般选用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切开成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为10~15cm,厚度约200~350um,电阻率约1Ω。cm的p型（全球节能环保网掺硼）。

    硅片在切开过程会发生很多的外表缺点，这就会发生两个问题，首先外表的质量较差，另外这些外表缺点会在电池制造过程中导致碎片增多。因而要将切开损伤层去除，一般选用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um.

    制绒，便是把相对光滑的原资料硅片的外表通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，构成漫反射，减少直射到硅片外表的太阳能的丢失。关于单晶硅来说一般选用NaOH加醇的方法腐蚀，使用单晶硅的各向异性腐蚀，在外表构成很多的金字塔结构，碱液的温度约80度，浓度约1~2%,腐蚀时刻约15分钟。关于多晶来说，一般选用酸法腐蚀。

    分散的意图在于构成PN结。普遍选用磷做n型掺杂。由于固态分散需求很高的温度，因而在分散前硅片外表的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片外表的碱残留和金属杂质。